Mikrochip - MSC035SMA170S

Bietet überragende Lawinenbeständigkeit
RFPD
Auf Lager: Microchip 1700V, 35mΩ SiC MOSFET in D3PAK

Auf Lager: Microchip 1700V, 35mΩ SiC MOSFET in D3PAK

  • Mfg-Teilnummer: MSC035SMA170S
Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microsemi steigert die Leistung gegenüber Silizium MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen. Der MSC035SMA170S ist ein 1700 V, 35 mΩ SiC-MOSFET in einem TO-268 (D3PAK) Gehäuse.
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  • Eigenschaften
  • Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
  • Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = 175 C
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode
  • Hervorragende Lawinenbeständigkeit
  • RoHS-konform
  • Vorteile
  • Hohe Effizienz für ein leichteres, kompakteres System
  • Einfach zu fahren und leicht zu parallelisieren
  • Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
  • Eliminiert die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode
  • Geringere Betriebskosten des Systems
  • Anwendungen
  • PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe
  • Intelligente Netzübertragung und -verteilung
  • Induktionserwärmung und Schweißen
  • H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät
  • Energieversorgung und -verteilung
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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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