Mikrochip - MSCSM170AM058CD

1700V/353A Phase Leg Siliziumkarbid-Modul
SiC auf Lager: Mikrochip - MSCSM170AM058CD3AG

SiC auf Lager: Mikrochip - MSCSM170AM058CD3AG

Das MSCSM170AM058CD3AG ist ein Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodul mit einem Phasenabschnitt von 1700 V/353 A.

  • SiC-Leistungs-MOSFET
  • Niedriger RDS(ein)
  • Leistung bei hohen Temperaturen
  • SiC-Schottky-Diode
  • Null Rückforderung
  • Keine Rückforderung in der Zukunft
  • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Positiver Temperaturkoeffizient bei VF
  • Kelvin-Emitter für einfachen Antrieb
  • Hohes Maß an Integration
  • M6-Stromanschlüsse
  • Aluminiumnitrid (AlN)-Substrat für verbesserte thermische Leistung
  • Hocheffizienter Konverter
  • Stabiles Temperaturverhalten
  • Direktmontage auf Kühlkörper (isoliertes Gehäuse)
  • Niedriger Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlkörper
  • RoHS-konform
  • Schweißtechnische Konverter
  • Getaktete Stromversorgungen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • EV-Motor und Traktionsantrieb

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.