In diesem Tech-Chat besprechen Vertreter von Richardson RFPD und Exeling s.r.l. ein GaN-Halbbrücken-Evaluierungsboard, das die beiden Unternehmen gemeinsam entwickelt haben. Unter Verwendung von Schlüsselkomponenten von Innoscience (700V, 190mOhm GaN FET), Skyworks (isolierter Gate-Treiber) und RECOM (DC-DC-Wandler) konzentriert sich die Diskussion auf das Verständnis von Parasitären der Gate-Drive-Schleife und Techniken zu deren Abschwächung. Die Rolle der negativen Vorspannung und die Vorteile von Kelvin-Source-Verbindungen sind zwei wichtige Techniken zur Abschwächung.
Teilnehmer:
Michele Sclocchi Field
Anwendungsingenieur, Energie & Leistung
Richardson RFPD
Luca De Guglielmo
Hardware-Ingenieur, Mitbegründer & CTO
Exelikng s.r.l.
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