Entfesseln der Leistung von GaN-Bauelementen mit hochleistungsfähiger isolierter Gate-Treiber-Steuerung

Evaluierungsboards sind für die Bewertung der Leistung von Komponenten unerlässlich. Richardson RFPD und Exeling, ein innovatives Startup-Unternehmen, das sich auf GaN-basierte Leistungselektronik spezialisiert hat, haben gemeinsam ein GaN-Halbbrücken-Evaluierungsboard entwickelt. Es enthält zwei 700 V, 190 mΩ GaN-FETs von Innoscience, isolierte Gate-Treiber von Skyworks und DC-DC-Wandler von RECOM.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.