优化氮化镓 MOSFET 性能

优化氮化镓 MOSFET 性能

2025 年 6 月 27 日

氮化镓

利用高性能隔离栅极驱动器控制释放氮化镓器件的能量

评估板对于评估元件性能至关重要。睿查森电子和专门从事氮化镓功率电子产品的创新型初创企业 Exeling 共同开发了一款氮化镓半桥评估板。它采用了 Innoscience 的两个 700 V、190 mΩ GaN FET、Skyworks 的隔离栅极驱动器 和 RECOM 的 DC-DC 转换器。

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我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。