Electronic devices sich in unmittelbarer Nähe befinden oder gemeinsame Leiter nutzen, sind anfällig für elektromagnetische Störungen (EMI), die ihren Betrieb beeinträchtigen können. Die Minimierung der Emissionen ist notwendig, um sicherzustellen, dass sich elektrische Systeme nicht gegenseitig im normalen Betrieb stören, wenn sie in derselben Umgebung betrieben werden. Leistungshalbleiterbauelemente wie Silizium-IGBTs (Si-IGBTs) und Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) tragen aufgrund der für ihren Betrieb erforderlichen schnellen Schaltvorgänge häufig zu leitungsgebundenen EMI bei. Während der Schaltvorgänge ändern sich die Spannung an und der Strom durch das Bauelement rasch. Der Wechsel zwischen Aus- und Ein-Zustand erzeugt ein dv/dt und ein di/dt, das EMI bei harmonischen Frequenzen der Schaltfrequenz erzeugt.
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