Mit höheren Spannungswerten, niedrigeren Betriebstemperaturen, höheren Stromstärken und besseren Erholungseigenschaften hat Siliziumkarbid (SiC) es verschiedenen Anwendungen ermöglicht, den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte zu maximieren und gleichzeitig die Kosten zu minimieren.
Laden Sie dieses Whitepaper herunter, um zu erfahren, wie das SiC-MOSFET-Testsystem von Wolfspeed mit geklemmter induktiver Last (CIL) Ihnen helfen kann, Ihr Design genau zu modellieren und die Vorteile von SiC voll auszuschöpfen.
Verwandte Seiten Inhalt
Siliziumkarbid-Technologie der Generation 4: Neudefinition von Leistung und Langlebigkeit in High-Power-Anwendungen
In diesem White Paper wird die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Technologie der vierten Generation von Wolfspeed vorgestellt, die für Hochleistungselektronikanwendungen entwickelt wurde.
SiC sorgt für intelligentere Stromversorgungen in der Halbleiterfertigung/Prozessindustrie
Der Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen umfasst mehrere unterschiedliche und komplizierte Schritte. Die in der Halbleiterfertigung verwendeten Netzteile sind für jede Aufgabe am vorderen und hinteren Ende des Prozesses unerlässlich.
Dynamische Charakterisierung und Messmethoden für SiC-MOSFETs
Erfahren Sie, wie das SiC-MOSFET-Testsystem von Wolfspeed mit geklemmter induktiver Last (CIL) Ihnen helfen kann, Ihr Design genau zu modellieren.
