Die Elektrofahrzeugindustrie hat sich bemüht, die Ladezeiten für Elektrofahrzeuge zu verkürzen und gleichzeitig die Hardware wirtschaftlich und kompakt zu halten. Es hat sich gezeigt, dass Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) mit höherem Wirkungsgrad und höherer Leistungsdichte in Verbindung mit verbesserter Robustheit und Zuverlässigkeit dazu beitragen, Systemdesigns flach, leichter und kostengünstiger in Bezug auf Wartung und Langlebigkeit der Komponenten zu halten.
Das Gleiche gilt für EV-Ladesysteme, und die 1.200-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed erfüllen nicht nur diese Leistungsverbesserungen, sondern ermöglichen auch bidirektionales Laden/Entladen, wodurch IBGT-Topologien ersetzt und einfache zweistufige Implementierungen ermöglicht werden.
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