Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (SiC) bietet erhebliche Vorteile bei Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen, bei denen Leistungsdichte, höhere Leistung und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind. Solarwechselrichter, Schweißen, Plasmaschneider, Schnellladegeräte für Fahrzeuge und Erdölexploration sind einige Beispiele für Anwendungen, die von der höheren Durchschlagsfeldstärke und der besseren Wärmeleitfähigkeit von SiC im Vergleich zu Silizium (Si) profitieren.
Wir führen und unterstützen die folgenden Produkte Siliziumkarbid
Microchip bietet ein komplettes Sortiment an Moduladapterplatinen (MABs) und Gate-Treiber-Cores an, die zu voll funktionsfähigen Plug-and-Play-Gate-Treiberplatinen führen. Das Angebot von Microchip umfasst Adapterplatinen für eine breite Palette von Leistungsmodulen aus Siliziumkarbid (SiC).
Dieser SiC ISOTOP® N-Kanal-Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch überragende Avalanche-Robustheit, niedrige Kapazitäten und Gate-Ladungen sowie einen stabilen Betrieb bis zu 175⁰ C aus.
- Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
- Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = +175C
Wolfspeed
Diese 650-V-SiC-Schottky-Dioden der 6. Generation ermöglichen einen branchenführenden Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte für die anspruchsvollsten Leistungswandlungsanwendungen.
- Niedrige VF = 1,27 V (25°C) & 1,37 (175°C)
- Klassenbester DVF/DT
- Null Rückforderung
- Hohe Durchbruchspannung
Vincotech
Dieses 1200 V / 27 mΩ flow 2xBOOST E2 SiC-Modul zeichnet sich durch eine hohe Schaltfrequenz und ein induktionsarmes Gehäuse aus.
- Spannung: 1200 V
- Stromstärke: 56 A
- Dual-Boost-Konfiguration
- flow E2 12mm Paket
Mikrochip
Diese leistungsstarken, langlebigen 1700-V-SiC-MOSFETs tragen zur Maximierung der Systemeffizienz und zur Minimierung des Systemgewichts und der Größe bei.
- Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Stabiler Betrieb, TJ(max) = +175 °C
- Schnelle und zuverlässige Body-Diode
Mikrochip
Diese Familie von SiC-basierten Leistungsmodulen für die Luft- und Raumfahrt ermöglicht effizientere und kompaktere Energieumwandlungs- und Triebwerksantriebssysteme.
- 1200V SiC MOSFETs & 1600V Dioden
- Für raue Luftfahrtanwendungen
- Niedriges Profil, niedrige Induktivität
- Verkürzung der Entwicklungszeit
Wolfspeed
Die kompakten WolfPACK™ SiC-Power-Module ohne Sockel bieten die branchenweit höchste Leistungsdichte in ihrer Klasse und eine unübertroffene Effizienz.
- Maximale Leistungsdichte
- Einfaches Layout und einfache Montage
- Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit des Systems
- Einfachere Kühlsysteme
Ausgewählte Hersteller Siliziumkarbid
