Mikrochip - MSC025SMA120J

Hoher Wirkungsgrad für ein leichteres, kompakteres System.
RFPD
Auf Lager: 1200V, 25 mOhm SOT-227 Siliziumkarbid MOSFET

Auf Lager: 1200V, 25 mOhm SOT-227 Siliziumkarbid MOSFET

  • Mfg-Teilnummer: MSC025SMA120J
Dieser SiC ISOTOP® N-Kanal-Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch überragende Avalanche-Robustheit, niedrige Kapazitäten und Gate-Ladungen sowie einen stabilen Betrieb bis zu 175⁰ C aus.
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  • Eigenschaften
  • Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
  • Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = +175C
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode
  • Hervorragende Lawinenbeständigkeit
  • RoHS-konform
  • Isolierte Spannung bis 2500V
  • Vorteile
  • Hohe Effizienz für ein leichteres/kompaktes System
  • Einfach zu fahren und leicht zu parallelisieren
  • Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
  • Eliminiert die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode
  • Geringere Betriebskosten des Systems
  • Anwendungen
  • PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe
  • Intelligente Netzübertragung und -verteilung
  • Induktionserwärmung und Schweißen
  • H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät
  • Energieversorgung und -verteilung

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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