- Mfg-Teilnummer: MSC025SMA120J
Dieser SiC ISOTOP® N-Kanal-Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch überragende Avalanche-Robustheit, niedrige Kapazitäten und Gate-Ladungen sowie einen stabilen Betrieb bis zu 175⁰ C aus.
- Eigenschaften
- Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
- Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = +175C
- Schnelle und zuverlässige Body-Diode
- Hervorragende Lawinenbeständigkeit
- RoHS-konform
- Isolierte Spannung bis 2500V
- Vorteile
- Hohe Effizienz für ein leichteres/kompaktes System
- Einfach zu fahren und leicht zu parallelisieren
- Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
- Eliminiert die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode
- Geringere Betriebskosten des Systems
- Anwendungen
- PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe
- Intelligente Netzübertragung und -verteilung
- Induktionserwärmung und Schweißen
- H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät
- Energieversorgung und -verteilung
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