Entdecken Sie die leistungsstarken RF-Switches von pSemi, die für eine Vielzahl von RF-Anwendungen entwickelt wurden. Darüber hinaus hat pSemi das weltweit kleinste vollständig integrierte IoT-Frontend-Modul vorgestellt, das darauf zugeschnitten ist, Innovationen bei IoT-Lösungen der nächsten Generation voranzutreiben.
SPDT & SP4T RF-Schalter
Entdecken Sie die neuesten RF-Schalter von pSemi, die niedrige Einfügungsdämpfung, hohe Isolation, außergewöhnliche Linearität und schnelle Einschwingzeit für effizientes RF-Signalrouting bieten.
Kleinstes, voll integriertes RF-SOI-FEM
pSemi leistet Pionierarbeit bei der RF-SOI-Technologie für nahtlose FEM-Integration. Ihr PE562212, das weltweit kleinste PA-LNA-SW IoT-FEM, verbessert die IoT-Konnektivität und Leistung.
SPDT & SP4T RF-Schalter von pSemi
PE42528
UltraCMOS+™ SPDT RF-Schalter, 9 kHz-30 GHz
Der PE42528 ist ein mit der HaRP™-Technologie verbesserter reflektierender SPDT-HF-Schalter, der einen breiten Frequenzbereich von 9 kHz bis 30 GHz unterstützt. Er bietet eine niedrige Einfügungsdämpfung, eine schnelle Schaltzeit und eine hohe Isolationsleistung, wodurch dieses Gerät ideal für Test- und Messanwendungen (T&M), 5G mmWave, Mikrowellen-Backhaul, Radar und Satellitenkommunikation ist. Es sind keine Abblockkondensatoren erforderlich, wenn an den HF-Anschlüssen keine Gleichspannung anliegt.
- Ultrabreite Frequenz: 9 kHz-30 GHz
- Geringe Einfügungsdämpfung:
- 1,3 dB @ 10 GHz
- 1,6 dB bei 30 GHz
- IP3: 48 dBm
- Belastbarkeit: 34 dBm Spitze
- Hohe Rückflussdämpfung: >17 dB über das gesamte Band
- Schnelle Schaltzeit: 8 ns
- Gehäuse: 20-poliges 3×3 mm LGA
PE424201
UltraCMOS© SPDT RF-Schalter, 9 kHz-12 GHz
Der PE424201 ist ein durch HaRP™-Technologie verbesserter reflektierender SPDT-HF-Schalter, der den Frequenzbereich von 9 kHz bis 12 GHz unterstützt. Er bietet eine hohe Linearität, eine hohe Belastbarkeit und eine niedrige Einfügungsdämpfung, ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Hochleistungs-HF-Anwendungen.
- Betriebsfrequenz: 9 KHz - 12 GHz
- Reflektierendes 50Ω-Design
- Hohe Linearität: 86 dBm IIP3
- Geringe Einfügungsdämpfung: 0,4 dB @ 8,0 GHz
- Hohe Belastbarkeit: 50 dBm Spitze
- Rückflussdämpfung: 15 dB Minimum
- Schnelle Schaltzeit: 1,5 μs
- Betriebstemperaturbereich: -40 bis +105 °C
- Gehäuse: 12-polig 2,0 × 2,0 mm LGA
PE424202
UltraCMOS© SPDT RF-Schalter, 9 kHz-12 GHz
Der PE424202 ist ein durch HaRP™-Technologie verbesserter reflektierender SPDT-HF-Schalter, der den Frequenzbereich von 9 kHz bis 12 GHz unterstützt. Er bietet eine hohe Linearität, eine hohe Belastbarkeit und eine niedrige Einfügungsdämpfung, ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Hochleistungs-HF-Anwendungen.
- Reflektierendes 50Ω-Design
- Hohe Linearität: 86 dBm IIP3
- Geringe Einfügungsdämpfung: 0,4 dB @ 8,0 GHz
- Hohe Belastbarkeit bei niedrigen Frequenzen:
- 31 dBm @ 100 kHz
- Rückflussdämpfung: 15 dB Minimum
- Schnelle Schaltzeit: 8,0 μs
- Betriebstemperaturbereich: -40 bis +105 °C
- Gehäuse: 12-polig 2,0 × 2,0 mm LGA
PE42429
UltraCMOS© SPDT RF-Schalter mit geringer Einfügedämpfung, 10 MHz-8,5 GHz
Der PE42429 ist ein durch die HaRP™-Technologie verbesserter SPDT-HF-Schalter, der für den Einsatz in der drahtlosen 4G/5G-Infrastruktur und anderen Hochleistungs-HF-Anwendungen konzipiert ist. Er besteht aus zwei symmetrischen HF-Ports mit sehr hoher Isolierung bis zu 8,5 GHz.
- Betriebsfrequenz: 10 MHz bis 8,5 GHz
- Hohe Isolation: 40 dB @ 8,5 GHz
- Geringe Einfügungsdämpfung: 1 dB bei 8,5 GHz
- Hohe Linearität: 68 dBm IIP3
- Schnelle Schaltzeit: 600 ns
- Betriebstemperaturbereich: -40 bis +105 °C
- Gehäuse: 12-poliges 2,0 × 2,0 mm QFN
PE42529
UltraCMOS© SPDT RF-Schalter mit geringer Einfügedämpfung, 9 kHz-8,5 GHz
Der PE42529 ist ein mit der HaRP™-Technologie erweiterter SPDT-HF-Schalter, der für den Einsatz in Test-/ATE- und anderen Hochleistungs-HF-Anwendungen entwickelt wurde. Er besteht aus zwei symmetrischen HF-Ports mit sehr hoher Isolierung bis zu 8,5 GHz.
- Hohe Belastbarkeit bei niedrigen Frequenzen:
- 10 dBm @ 9 kHz
- 15 dBm @ 100 MHz
- Hohe Isolation: 40 dB @ 8,5 GHz
- Geringe Einfügungsdämpfung: 1 dB bei 8,5 GHz
- Hohe Linearität: 68 dBm IIP3
- Schnelle Schaltzeit: 1,9 μs
- Betriebstemperaturbereich: -40 bis +105 °C
- Gehäuse: 12-poliges 2,0 × 2,0 mm QFN
PE42544
Hochisolierender UltraCMOS© SP4T RF-Schalter, 10 MHz-8,5 GHz
Der PE42544 ist ein mit HaRP™-Technologie erweiterter SP4T-HF-Switch, der für den Einsatz in Test-/ATE- und anderen Hochleistungs-HF-Anwendungen konzipiert ist. Er besteht aus vier symmetrischen HF-Ports mit sehr hoher Isolierung bis zu 8,5 GHz.
- Betriebsfrequenz: 10 MHz bis 8,5 GHz
- Hohe Isolierung: 40 dB bei 6 GHz
- Geringe Einfügungsdämpfung: 1,3 dB @ 8,5 GHz
- Hohe Linearität: 61 dBm IIP3
- Schnelle Schaltzeit: 350 ns
- Betriebstemperaturbereich: -40 bis +105 °C
- Gehäuse: 20-poliges 3,0 × 3,0 mm QFN
PE42448
UltraCMOS+™ SP4T RF-Schalter, 2,3 GHz-5 GHz
Der PE42448 zeichnet sich durch eine niedrige Einfügungsdämpfung aus, die bei 2,6 GHz mit 0,5 dB und bei 3,8 GHz mit 0,6 dB gemessen wurde, sowie durch eine hohe Linearität, die einen IIP3-Wert von 88,5 dBm erreicht. Mit einer RMS-Leistung von 39,5 dBm und einem Peak-to-Average Ratio (PAR) von 11 dB ist er für hohe Leistungen geeignet. Der Baustein arbeitet bei Temperaturen bis zu +115 °C und ist in einem 20-poligen 4 × 4 mm LGA-Gehäuse untergebracht.
- Geringe Einfügungsdämpfung:
- 0,5 dB @ 2,6 GHz
- 0,6 dB @ 3,8 GHz
- Hohe Linearität IIP3: 88,5 dBm
- Hohe Belastbarkeit: 40 dBm CW, 52 dBm Spitze
- Betriebstemperatur: +115 °C
- Gehäuse: 20-poliges 4 × 4 mm LGA
PE42549
UltraCMOS© SP4T RF-Schalter mit geringer Einfügedämpfung, 9 kHz-8,5 GHz
Der PE42549 ist ein mit HaRP™-Technologie erweiterter SP4T-HF-Switch, der für den Einsatz in Test-/ATE- und anderen Hochleistungs-HF-Anwendungen konzipiert ist. Er besteht aus vier symmetrischen HF-Ports mit sehr hoher Isolierung bis zu 8,5 GHz.
- Hohe Belastbarkeit bei niedrigen Frequenzen:
- 5 dBm @ 9 kHz
- 15 dBm @ 100 MHz
- Hohe Isolierung: 39 dB bei 6 GHz
- Geringe Einfügungsdämpfung: 1,6 dB @ 8,5 GHz
- Hohe Linearität: 61 dBm IIP3
- Schnelle Schaltzeit: 1,9 μs
- Betriebstemperaturbereich: -40 bis +105 °C
- Gehäuse: 20-poliges 3,0 × 3,0 mm QFN
