- A3G26D055N-100
Der A3G26D055N-100 ist ein bestellbares Referenzdesign für A3G26D055NT4. Der A3G26D055NT4 ist ein diskreter GaN-HEMT für den HF-Leistungsbereich von 100-2690 MHz, der in einem 7 x 6,5 mm großen, umspritzten Kunststoffgehäuse (DFN) untergebracht ist. Er hat einen unübertroffenen Ausgang, der die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs ermöglicht.
Die Schaltung A3G26D055N-100 optimiert den Baustein für das 100-2500-MHz-Band mit 12 W CW und 11 dB Verstärkung, indem sie die Hälfte des Bausteins nutzt. Die Schaltung kann bestellt werden, und die Schaltungsinformationen sind von NXP per Lizenz erhältlich.
- Typische Leistung
Größe der Schaltung: 7 cm x 5cm (2,75″x1,97″)
Frequenz (MHz) | Schmollmund (W) | Verstärkung (dB) | IRL (dB) | Wirkungsgrad des Abflusses (%) | ID (A) | 100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
|---|---|---|---|---|---|
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vdc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vdc), Pin = 1 W, CW
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