- A3G26D055N-100
El A3G26D055N-100 es un diseño de referencia que se puede pedir para el A3G26D055NT4. El A3G26D055NT4 es un HEMT de GaN discreto de potencia de RF de 100-2690 MHz alojado en un encapsulado de plástico sobremoldeado DFN de 7 x 6,5 mm. Tiene una salida inigualable que permite su utilización en un amplio rango de frecuencias.
El circuito A3G26D055N-100 optimiza el dispositivo de la banda 100-2500MHz, con 12W CW y 11dB de ganancia utilizando la mitad del dispositivo. El circuito está disponible para pedidos y la información del circuito está disponible en NXP mediante licencia.
- Rendimiento típico
Tamaño del circuito: 7 cm x 5 cm (2,75″x1,97″)
Frecuencia (MHz) | Puchero (W) | Ganancia (dB) | IRL (dB) | Eficacia del drenaje (%) | ID (A) | 100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
|---|---|---|---|---|---|
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vcc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vcc), Pin = 1 W, CW
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