RF-Leistungstransistoren

Das RF-Power-Macro-GaN-Portfolio von NXP umfasst RF-Hochleistungstransistoren für Remote Radio Heads (RRH) in Mobilfunk-Basisstationen. Diese Bauelemente sind für 40-W- bis 80-W-Funkeinheiten ausgelegt und zielen auf 4T4R- und 8T8R-Infrastrukturen ab.

Der neue 125-W-CW-Breitband-HF-Leistungstransistor MMRF5018HSR5 ist für einen optimierten Breitbandbetrieb bis 2700 MHz ausgelegt und verfügt über eine Eingangsanpassung für eine erweiterte Bandbreitenleistung. Mit seiner hohen Verstärkung und hohen Robustheit ist dieser Baustein ideal für CW-, Puls- und Breitband-HF-Anwendungen geeignet.

Die Schaltung A3G26D055N-100 optimiert den Baustein für das 100-2500-MHz-Band mit 12 W CW und 11 dB Verstärkung, indem sie die Hälfte des Bausteins nutzt. Die Schaltung kann bestellt werden, und die Schaltungsinformationen sind von NXP per Lizenz erhältlich.

Der A3G26D055N-100 ist ein bestellbares Referenzdesign für A3G26D055NT4.

Dieser 300 W, 50 V RF Power FET ist für kommerzielle und militärische Breitbandanwendungen bei Frequenzen bis 175 MHz konzipiert.

• Verstärkung: 14 dB (16 dB typisch)
• Wirkungsgrad: 50%
• Niedriger Wärmewiderstand: 0,35°C/W
• Geprüfte Robustheit

Dieser 180 W, DC-2,0 GHz, 50 V, GaN-HEMT in einem 2-Leiter-Pillengehäuse bietet eine universelle, breitbandige Lösung für eine Vielzahl von HF- und Mikrowellenanwendungen.

• 24 dB Kleinsignalverstärkung bei 900 MHz
• 20 dB Leistungsverstärkung bei 900 MHz
• 250 W typische Ausgangsleistung bei 900 MHz
• 75 % Effizienz beim PSAT

Dieser RoHS-konforme Metall-Gate-RF-Silizium-MOSFET mit 5 W, 12,5 V und 1 GHz verfügt über ein vereinfachtes Verstärkerdesign für breitbandige VHF/UHF-Kommunikation.

• Sehr niedrig Crss
• Einfache Vorspannungsschaltungen
• Geräuscharm
• Hohe Verstärkung: mindestens 10 dB

Dieser n-Kanal-HF-Leistungstransistor mit 50 V, 300 W und 150 MHz ist für kommerzielle und militärische Breitbandanwendungen konzipiert, die eine hohe Leistung und Verstärkung erfordern.

• Verbesserte Widerstandsfähigkeit V(BR)DSS = 170 V
• 22 dB typische Verstärkung bei 30 MHz
• Ausgezeichnete Stabilität, geringe IMD
• Gemeinsame Quellkonfiguration

Dieser LDMOS-Transistor mit 1,8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V und hoher Robustheit wurde für Industrie, Rundfunk, Luft- und Raumfahrt sowie Funk- und Landmobilfunk mit hohem VSWR entwickelt.

• Unübertroffener Input und Output
• Für single-ended oder push-pull
• Gekennzeichnet von 30 V bis 50 V
• Geeignet für lineare Anwendungen