Erfahren Sie, wie das SiC-MOSFET-Testsystem von Wolfspeed mit geklemmter induktiver Last (CIL) Ihnen helfen kann, Ihr Design genau zu modellieren.

Wolfspeed hat eine grundplattenlose Modulfamilie auf den Markt gebracht, die den Anforderungen von Anwendungen im mittleren Leistungsbereich gerecht wird und Lösungen im gesamten Bereich der Leistungselektronik bietet.

C3M0025065J1: Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3M™ MOSFET-Technologie N-Kanal Enhancement Mode

Wolfspeed baut seine führende Rolle in der SiC-Technologie mit der Einführung der 3. Generation von 650-V-MOSFETs aus, die eine kleinere, leichtere und hocheffiziente Leistungsumwandlung in einer noch größeren Bandbreite von Leistungssystemen ermöglichen.

Das Angebot umfasst diskrete Transistoren, impedanzangepasste FETs und mehrstufige MMIC-Verstärker

5G stellt den nächsten Evolutionsschritt in der drahtlosen Telekommunikationsinfrastruktur dar und wird dramatische Verbesserungen bei Kapazität, Bandbreite und Latenzzeit bringen.

Dieses Whitepaper hebt das breite SiC-Portfolio von Wolfspeed hervor, das für viele verschiedene Anwendungen geeignet ist, sowie die verfügbaren webbasierten Tools, die Kunden bei der schnellen Bewertung von Bauteilen für ihre Systeme helfen.

Da sich viele Stromversorgungsdesigner auf die Qualifizierung von Siliziumkarbid-Bauteilen, die Zuverlässigkeit und die Konsistenz der Versorgung konzentrieren, gehen wir näher darauf ein, wie Wolfspeed die Unterschiede zwischen Zuverlässigkeits- und Qualifizierungstests hervorhebt.

In diesem Tech-Chat gehen wir auf die häufig gestellte Frage ein, wie Siliziumkarbid (SiC) im Vergleich zu konkurrierenden Technologien abschneidet.

In diesem Tech-Chat besprechen wir die verschiedenen Gate-Ansteuerungsebenen von Wolfspeed Gen3 SiC MOSFETs - wie das Hinzufügen einer negativen Gate-Vorspannung die Rauschimmunität verbessert.