- Número de pieza Mfg: MSCSM120TAM11CTPAG
El dispositivo MSCSM120TAM11CTPAG es un módulo de alimentación de carburo de silicio (SiC) trifásico de 1200 V/251 A.
- Características
- MOSFET de potencia de SiC
- RDS bajo(on)
- Rendimiento a altas temperaturas
- Diodo Schottky de SiC
- Recuperación inversa cero
- Recuperación anticipada cero
- Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
- Coeficiente de temperatura positivo en VF
- Inductancia de dispersión muy baja
- Termistor interno para controlar la temperatura
- Sustrato de nitruro de aluminio (AlN) para mejorar el rendimiento térmico
- Aplicaciones
- Convertidores e inversores eficientes y de alta potencia
- Excelente rendimiento a alta frecuencia
- Montaje directo en el disipador (paquete aislado)
- Baja resistencia térmica entre la unión y la carcasa
- Terminales soldables para alimentación y señal, para facilitar el montaje en placa de circuito impreso
- Perfil bajo
- Cumple la directiva RoHS
- Aplicaciones
- Fuentes de alimentación ininterrumpida
- Fuentes de alimentación conmutadas
- Motor y tracción EV
- Convertidores de soldadura
Relacionado Contenido

Almacenamiento de energía y conversión de potencia
Módulos de alimentación IGBT 7 de Microchip: soluciones de alto voltaje y bajas pérdidas para aplicaciones versátiles
Descubra los versátiles módulos de potencia IGBT 7 de Microchip, que ofrecen mayor capacidad de corriente, menores pérdidas y alta eficiencia en múltiples opciones de encapsulado.
20 de febrero de 2025

Almacenamiento de energía y conversión de potencia
Diseño de referencia de fuente de alimentación auxiliar de 1700 V de Microchip
Un MOSFET SiC de 1,7 kV es una opción excelente para utilizar una topología flyback de interruptor único en una aplicación de fuente de alimentación auxiliar que requiera un amplio rango de tensión de entrada.
30 de noviembre de 2023

Almacenamiento de energía y conversión de potencia
Libere toda la capacidad del carburo de silicio: optimice rápidamente con control digital
Con los controladores de puerta digitales SiC de Microchip, los usuarios experimentan una reducción de las pérdidas por conmutación y una mejora de la densidad del sistema.
19 de julio de 2023