Los dispositivos electrónicos que están próximos o comparten conductores comunes son susceptibles de sufrir interferencias electromagnéticas (IEM) que pueden perturbar su funcionamiento. Es necesario minimizar las emisiones para garantizar que los sistemas eléctricos no interfieran entre sí en su funcionamiento normal cuando se encuentran en el mismo entorno. Los dispositivos semiconductores de potencia, como los IGBT de silicio (Si) y los MOSFET de carburo de silicio (SiC), contribuyen con frecuencia a la EMI conducida debido a la rápida conmutación necesaria para su funcionamiento. Durante las transiciones de conmutación, la tensión y la corriente a través del dispositivo cambian rápidamente de estado. El cambio entre los estados de apagado y encendido produce un dv/dt y di/dt que genera EMI a frecuencias armónicas de la frecuencia de conmutación.
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