Electronic devices se encuentran próximos entre sí o comparten conductores comunes son susceptibles a sufrir interferencias electromagnéticas (EMI) que pueden alterar su funcionamiento. Es necesario minimizar las emisiones para garantizar que los sistemas eléctricos no interfieran en el funcionamiento normal de los demás cuando se encuentran en el mismo entorno. Los dispositivos semiconductores de potencia, como los IGBT de silicio (Si) y los MOSFET de carburo de silicio (SiC), son una fuente habitual de EMI conducida debido a la conmutación rápida que requiere su funcionamiento. Durante las transiciones de conmutación, la tensión a través del dispositivo y la corriente que lo atraviesa cambian de estado rápidamente. El cambio entre los estados de apagado y encendido produce un dv/dt y un di/dt que generan EMI a frecuencias armónicas de la frecuencia de conmutación.
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