Cómo optimizar un amplificador de RF basado en GaN sobre SiC

Cómo optimizar un amplificador de RF basado en GaN sobre SiC

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Webinar a la carta
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Cómo optimizar un amplificador de RF basado en GaN sobre SiC

El webcast le guiará a través del proceso de optimización de un amplificador de RF equilibrado de 50 W con transistores HEMT de GaN sobre SiC. Ofreceremos una visión general de la red de adaptación y el diseño de la etapa final, así como de la red divisora/combinadora.

También hablaremos de la importancia de las consideraciones térmicas y el análisis electromagnético en el diseño, y ofreceremos una comparación del rendimiento modelado previsto frente al medido. Por último, mostraremos un Front End de RF totalmente integrado construido a partir de este diseño de amplificador equilibrado y cómo integrarlo con un sistema de radio en módulo (SoM).

Los asistentes aprenderán sobre:

  • Ventajas técnicas de los amplificadores de GaN sobre SiC
  • Trabajo con modelos no lineales y preparación para la simulación
  • Consideraciones térmicas sobre los amplificadores de GaN
  • Simulación EM precisa

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