26 de marzo de 2019 - Ginebra, III.:
Richardson RFPD, Inc. ha anunciado hoy la disponibilidad y plena capacidad de soporte de diseño para una nueva familia de E-HEMT de GaN de 650 V de GaN Systems Inc.
Los dispositivos GS-065-0xx-1-L son ideales para aplicaciones de baja potencia, como carga, fuentes de alimentación, iluminación y electrodomésticos. Se caracterizan por:
- Paquetes PDFN estándar de 5 mm x 6 mm
- Montaje mediante proceso SMT estándar
- Escalable: De 3,5 A a 11 A en el mismo espacio
- Velocidad de conmutación rápida y limpia
- Alta frecuencia de conmutación (20 MHz+)
- Bajas pérdidas por conmutación
- Baja EMI
- Alta eficacia
- Sentido Kelvin
- Cero Qrr
- Refrigeración en la parte inferior
PARA MÁS INFORMACIÓN
DAVE ROSSDEUTCHER
Global Product Management Director - Energy & Power
P: 630 262 6800
drossdeutcher@richardsonrfpd.com
Características clave adicionales del GS-065-0xx-1-L:
Número de pieza | Tensión | Corriente RDS(on) | Paquete/Tamaño (mm) |
|---|---|---|---|
GS-065-004-1-L | 650 | 3.5 A
500 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
GS-065-008-1-L | 650 | 8 A
225 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
GS-065-011-1-L | 650 | 11 A
150 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
Para obtener más información o adquirir este producto hoy mismo en línea, visite la página web GS-065-0xx-1-L; o busque un ingeniero de ventas local (en todo el mundo) en Local Sales Support. Para obtener más información sobre otros productos de GaN Systems, visite la página web de la tienda de GaN Systems.
