Soluciones NXP para antenas activas 5G Sub-6GHz y Small Cells
NXP mejora los sistemas de antena activa con la flexibilidad de las soluciones discretas de GaN y la alta integración de los módulos multichip. Nuestra línea completa de soluciones de módulos multi-chip, productos discretos GaN, LNAs e ICs apoyan la evolución de los requisitos del sistema de antena activa 5G mMIMO para estaciones base celulares. Nuestros innovadores dispositivos GaN, LDMOS y SiGe ofrecen altos niveles de integración, mayor potencia de salida, cobertura de frecuencia ampliada y eficiencia mejorada, todo ello en factores de forma compactos.
NXP ofrece la cartera de productos de amplificadores de potencia de RF más amplia disponible para infraestructuras inalámbricas que abarca múltiples niveles de integración, incluidos transistores discretos, circuitos integrados multietapa y módulos multichip (MCM), así como GaN y LDMOS de silicio de las últimas fábricas de vanguardia de NXP.
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Los módulos Rx de NXP son módulos integrados multichip diseñados para aplicaciones TD-LTE y 5G mMIMO. Disponibles en configuraciones de canal único y doble, los módulos Rx combinan conmutador T/R, LNA de dos etapas y circuitos de soporte para funcionar con una alimentación de 5 V y un control T/R de nivel lógico de 1,8 V.
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Los diseños de front-end RapidRF de NXP para infraestructuras 5G integran un preconductor lineal, un amplificador de potencia RF, un LNA Rx con conmutador T/R, un circulador y controlador de polarización y un acoplador de realimentación DPD en un tamaño compacto. Las tarjetas de referencia RapidRF son ideales para unidades de radio que requieren una potencia media de transmisión en la antena de 2,5-8 W (34-39 dBm). Las versiones para distintas bandas utilizan un diseño de placa de circuito impreso común, lo que simplifica tanto el diseño como la fabricación y acelera la comercialización.
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NXP ha presentado una familia de módulos MIMO masivos 5G que utilizan su nueva e innovadora tecnología de encapsulado con refrigeración superior. Los primeros productos están diseñados para radios 32T32R de 200 W, cubren bandas de frecuencia de 3,3 GHz a 3,8 GHz y aprovechan la última tecnología GaN patentada fabricada en la nueva planta de NXP en Chandler, AZ. Los sistemas más pequeños, delgados y ligeros permitirán un importante ahorro de costes, además de estaciones base más respetuosas con el medio ambiente, al tiempo que se consiguen todas las ventajas de rendimiento de la 5G.
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