La aparición de nuevos materiales semiconductores como el GaN ha abierto las posibilidades de alcanzar mayores niveles de potencia cubriendo amplios anchos de banda. Los dispositivos GaAs de menor longitud de puerta han ampliado los rangos de frecuencia de 20 GHz a 40 GHz y más. La fiabilidad de estos dispositivos supera el millón de horas, lo que los convierte en omnipresentes en los sistemas electrónicos actuales. Esperamos que la tendencia a frecuencias más altas y anchos de banda más amplios continúe en el futuro.
Relacionado Contenido
Cómo hacer que una solución de predistorsión digital sea práctica y relevante
El rendimiento estático debe sustentarse en la capacidad de mantener el rendimiento y la estabilidad en un entorno complejo en el que muchos elementos se encuentran en estado de flujo.
Cómo hacer que una solución de predistorsión digital sea práctica y relevante
La rápida transición a la 5G introduce una plétora de nuevos retos y escenarios a los que los desarrolladores de algoritmos y los proveedores de equipos deben prestar más atención.
Transceptor altamente integrado con frente de RF que reduce el tiempo y los recursos de diseño
Los ingenieros de Richardson RFPD y otros han colaborado con Analog Devices para introducir un nuevo transceptor altamente integrado y han construido SoMs y frontales de RF para interactuar con él.
