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MOSFET Wolfspeed GEN 4
25 de febrero de 2026
Estamos encantados de ampliar el acceso a la plataforma MOSFET SiC Gen 4 de Wolfspeed, que ofrece mayor eficiencia, mayor facilidad...
Wolfspeed ha presentado su plataforma tecnológica Gen 4, diseñada para ofrecer un rendimiento, una durabilidad y una eficiencia revolucionarios para aplicaciones de alta potencia.
Wolfspeed amplía ahora las opciones de diseño de sistemas con el lanzamiento comercial de un conocido paquete refrigerado por la parte superior tanto en el mercado de la automoción como en el industrial. conocido paquete refrigerado por la parte superior para los mercados de automoción e industrial.
¿No pudo asistir en persona? Aún puede explorar los productos y soluciones presentados en nuestro stand.
Diseño de referencia de SiC orientado a aplicaciones de alta potencia como el planchado en frío para la reducción de emisiones y el factor de forma en sistemas de alimentación de tierra a barco.
El diseño de referencia del inversor trifásico de 2300 V demuestra la sencillez del diseño y la escalabilidad de los nuevos módulos de potencia SiC sin placa base de 2300 V de Wolfspeed.
Este libro blanco destaca la tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) de cuarta generación de Wolfspeed, diseñada para aplicaciones electrónicas de alta potencia.
Los semiconductores de potencia refrigerados por la parte superior están ganando interés en la comunidad de diseño de electrónica de potencia. Las mejoras térmicas...
Los dispositivos electrónicos que están próximos o comparten conductores comunes son susceptibles de sufrir interferencias electromagnéticas (EMI)...
En esta charla técnica, hablamos de cómo se comparan las emisiones EMI del carburo de silicio con las del silicio y de las ventajas que ofrecen los módulos SiC de Wolfspeed para compensar estas emisiones.