- Numéro de pièce Mfg : MSC025SMA120J
Les MOSFET en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology offrent des performances dynamiques et thermiques supérieures à celles des MOSFET de puissance en silicium (Si) conventionnels. Ces MOSFET sont dotés de faibles capacités, d'une faible charge de grille, d'une vitesse de commutation rapide et d'une bonne résistance aux avalanches.
- Caractéristiques
- Faibles capacités et faible charge de grille
- Vitesse de commutation rapide grâce à une faible résistance de grille interne (ESR)
- Fonctionnement stable à une température de jonction élevée, TJ(max) = +175C
- Diode de corps rapide et fiable
- Robustesse supérieure en avalanche
- Conforme à la directive RoHS
- Tension isolée jusqu'à 2500V
- Avantages
- Un rendement élevé pour un système plus léger/compact
- Simplicité de conduite et facilité de parallélisme
- Amélioration des capacités thermiques et réduction des pertes de commutation
- Élimine la nécessité d'une diode de roue libre externe
- Réduction du coût de possession du système
- Applications
- Onduleurs et convertisseurs photovoltaïques et entraînements de moteurs industriels
- Réseau intelligent de transmission et de distribution
- Chauffage par induction et soudage
- Groupe motopropulseur H/EV et chargeur EV
- Alimentation et distribution d'électricité
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