- A3G26D055N-100
L'A3G26D055N-100 est une conception de référence commandable pour les produits suivants A3G26D055NT4. Le A3G26D055NT4 est un HEMT GaN discret de puissance RF 100-2690 MHz logé dans un boîtier plastique surmoulé DFN 7 x 6.5mm. Il possède une sortie inégalée permettant l'utilisation d'une large gamme de fréquences.
Le circuit A3G26D055N-100 optimise le dispositif sur la bande 100-2500MHz, avec 12W CW et 11dB de gain en utilisant la moitié du dispositif. Le circuit est disponible à la commande et les informations sur le circuit sont disponibles auprès de NXP sous licence.
- Performances typiques
Taille du circuit : 7 cm x 5cm (2.75″x1.97″)
Fréquence (MHz) | Pout (W) | Gain (dB) | IRL (dB) | Efficacité du drainage (%) | ID (A) | 100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
|---|---|---|---|---|---|
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vdc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vdc), Pin = 1 W, CW
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