Solutions NXP pour les antennes actives 5G sub-6GHz et les petites cellules
NXP améliore les systèmes d'antennes actives grâce à la flexibilité des solutions discrètes GaN et à la haute intégration des modules multi-puces. Notre gamme complète de modules multi-puces, de produits discrets GaN, de LNA et de circuits intégrés répond à l'évolution des exigences des systèmes d'antennes actives 5G mMIMO pour les stations de base cellulaires. Nos dispositifs innovants GaN, LDMOS et SiGe offrent des niveaux élevés d'intégration, une puissance de sortie accrue, une couverture de fréquence étendue et une efficacité améliorée ─ le tout dans des facteurs de forme compacts.
NXP propose le plus large portefeuille de produits d'amplificateurs de puissance RF pour les infrastructures sans fil, qui couvre plusieurs niveaux d'intégration, y compris les transistors discrets, les circuits intégrés à plusieurs niveaux et les modules multi-puces (MCM), ainsi que l'utilisation de GaN et de LDMOS au silicium provenant des dernières fabriques de pointe de NXP.
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Les modules Rx de NXP sont des modules multi-puces intégrés conçus pour les applications mMIMO TD-LTE et 5G. Disponibles dans des configurations à un ou deux canaux, les modules Rx combinent un commutateur T/R, un LNA à deux étages et des circuits de support pour fonctionner à partir d'une alimentation de 5 V et d'une commande T/R de niveau logique de 1,8 V.
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Les conceptions de front-end RapidRF de NXP pour l'infrastructure 5G intègrent un pré-driver linéaire, un amplificateur de puissance RF, un LNA Rx avec commutateur T/R, un circulateur et un contrôleur de polarisation, ainsi qu'un coupleur de rétroaction DPD dans une empreinte compacte. Les cartes de référence RapidRF sont idéales pour les unités radio nécessitant une puissance d'émission moyenne de 2,5-8 W (34-39 dBm) au niveau de l'antenne. Les versions pour différentes bandes utilisent une configuration de circuit imprimé commune, ce qui simplifie à la fois la conception et la fabrication pour une mise sur le marché plus rapide.
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NXP a lancé une famille de modules MIMO massifs 5G utilisant sa nouvelle technologie innovante de refroidissement par le haut. Les premiers produits sont conçus pour les radios 32T32R 200 W, couvrant les bandes de fréquences de 3,3 GHz à 3,8 GHz et tirant parti de la dernière technologie GaN propriétaire fabriquée dans la nouvelle usine de NXP à Chandler, AZ. Des systèmes plus petits, plus fins et plus légers permettront de réaliser d'importantes économies et de créer des stations de base plus respectueuses de l'environnement, tout en bénéficiant des avantages de la 5G en termes de performances.
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