La modernisation militaire se poursuit sans relâche. L'augmentation des dépenses militaires entraîne l'acquisition de systèmes de communication sans fil avancés pour les plates-formes terrestres, aériennes et maritimes.

L'utilisation de MOSFET en carbure de silicium (SiC) a permis de fournir de l'énergie à haut rendement pour une variété d'applications, telles que la recharge rapide des véhicules électriques, les alimentations électriques, les énergies renouvelables et les infrastructures de réseau.

Ils font partie intégrante des systèmes de test 5G et jouent un rôle essentiel pour garantir la fiabilité des tests et la précision des mesures.

Lorsqu'il n'est pas pratique d'utiliser un module de puissance dans votre conception, la mise en parallèle de MOSFETs est une approche courante.

Cette discussion technique aide les ingénieurs concepteurs à mieux comprendre comment les Rds(on) des MOSFET SiC de Wolfspeed se comparent à d'autres technologies disponibles, telles que le GaN, le silicium ou d'autres dispositifs SiC.

Qu'est-ce qui vous vient à l'esprit lorsque vous pensez à une "centrale électrique portable" ? Une machine encombrante et lourde, bruyante mais sous-puissante. Une machine qui frustre les clients.

L'objectif de cette note d'application est de fournir aux utilisateurs de dispositifs à large bande interdite Wolfspeed une ligne directrice sur les performances thermiques des transistors SiC MESFET et GaN HEMT de haute puissance. I

Les ingénieurs concepteurs peuvent bénéficier des avantages étendus du SiC grâce à la mise en œuvre simple d'un boîtier TO-247 à 4 pattes. Pour en savoir plus, consultez cette discussion technique.

Les tubes à vide utilisés dans les émetteurs émetteurs d'ondes millimétriques d'aujourd'hui de plus en plus menacés par les HEMT GaN.

L'industrie des véhicules électriques (VE) s'est efforcée de réduire les temps de charge des VE tout en conservant un matériel économique et compact.