- Numero di parte contraente: C3M0025065J1
C3M0025065J1: MOSFET di potenza al carburo di silicio Tecnologia MOSFET C3M™ Modalità di potenziamento a canale N
- Caratteristiche
- Tecnologia MOSFET SiC di terza generazione
- Pacchetto ottimizzato con pin sorgente del driver separato
- Alta tensione di blocco con bassa resistenza di accensione
- Commutazione ad alta velocità con basse capacità
- Diodo intrinseco veloce con basso recupero inverso (Qrr)
- Senza alogeni, conforme a RoHS
- Vantaggi
- Riduzione delle perdite di commutazione e minimizzazione del ringing del gate
- Maggiore efficienza del sistema
- Riduzione dei requisiti di raffreddamento
- Aumentare la densità di potenza
- Aumento della frequenza di commutazione del sistema
- Applicazioni
- Alimentatori per Datacenter e Telecom
- Caricabatterie EV
- Convertitori CC/CC ad alta tensione
- Sistemi di accumulo di energia
- Inverter solari
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