Scoprite gli switch RF ad alte prestazioni di pSemi, progettati per eccellere in un'ampia gamma di applicazioni RF. Inoltre, pSemi ha presentato il più piccolo modulo front-end IoT completamente integrato al mondo, progettato per promuovere l'innovazione nelle soluzioni IoT di prossima generazione.
Interruttori RF SPDT e SP4T
Scoprite i più recenti switch RF di pSemi, che offrono bassa perdita di inserzione, elevato isolamento, eccezionale linearità e tempi di assestamento rapidi per un efficiente instradamento dei segnali RF.
Il più piccolo FEM RF-SOI completamente integrato
pSemi è pioniere della tecnologia RF SOI per un'integrazione FEM senza soluzione di continuità. Il PE562212, il PA-LNA-SW IoT FEM più piccolo al mondo, migliora la connettività e le prestazioni IoT.
Interruttori RF SPDT e SP4T da pSemi
PE42528
Interruttore RF UltraCMOS+™ SPDT, 9 kHz-30 GHz
Il PE42528 è un interruttore RF SPDT riflettente potenziato con tecnologia HaRP™ che supporta un'ampia gamma di frequenze da 9 kHz a 30 GHz. Offre una bassa perdita di inserzione, un rapido tempo di commutazione ed elevate prestazioni di isolamento, rendendo questo dispositivo ideale per applicazioni di test e misurazioni (T&M), 5G mmWave, backhaul a microonde, radar e comunicazioni satellitari. Non sono necessari condensatori di blocco se la tensione CC non è presente sulle porte RF.
- Frequenza ultra ampia: 9 kHz-30 GHz
- Bassa perdita di inserzione:
- 1,3 dB a 10 GHz
- 1,6 dB a 30 GHz
- IP3: 48 dBm
- Gestione della potenza: 34 dBm di picco
- Elevata perdita di ritorno: >17 dB su tutta la banda
- Tempo di commutazione veloce: 8 ns
- Pacchetto: LGA a 20 conduttori 3×3 mm
PE424201
Interruttore RF SPDT UltraCMOS©, 9 kHz-12 GHz
Il PE424201 è un interruttore RF SPDT riflettente potenziato con tecnologia HaRP™ che supporta la gamma di frequenze 9 kHz-12 GHz. Offre un'elevata linearità, un'alta gestione della potenza e una bassa perdita di inserzione, ideale per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni RF ad alte prestazioni.
- Frequenza operativa: 9 KHz - 12 GHz
- Design riflettente da 50Ω
- Elevata linearità: 86 dBm IIP3
- Bassa perdita di inserzione: 0,4 dB a 8,0 GHz
- Elevata gestione della potenza: 50 dBm di picco
- Perdita di ritorno: 15 dB minimo
- Tempo di commutazione rapido: 1,5 μs
- Intervallo di temperatura operativa: da -40 a +105 °C
- Confezione: LGA a 12 conduttori da 2,0 × 2,0 mm
PE424202
Interruttore RF SPDT UltraCMOS©, 9 kHz-12 GHz
Il PE424202 è un interruttore RF SPDT riflettente potenziato con tecnologia HaRP™ che supporta la gamma di frequenze 9 kHz-12 GHz. Offre un'elevata linearità, un'alta gestione della potenza e una bassa perdita di inserzione, ideale per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni RF ad alte prestazioni.
- Design riflettente da 50Ω
- Elevata linearità: 86 dBm IIP3
- Bassa perdita di inserzione: 0,4 dB a 8,0 GHz
- Elevata gestione della potenza a bassa frequenza:
- 31 dBm a 100 kHz
- Perdita di ritorno: 15 dB minimo
- Tempo di commutazione rapido: 8,0 μs
- Intervallo di temperatura operativa: da -40 a +105 °C
- Confezione: LGA a 12 conduttori da 2,0 × 2,0 mm
PE42429
Interruttore RF SPDT UltraCMOS© a bassa perdita di inserzione, 10 MHz-8,5 GHz
Il PE42429 è uno switch RF SPDT potenziato con tecnologia HaRP™ progettato per l'utilizzo nelle infrastrutture wireless 4G/5G e in altre applicazioni RF ad alte prestazioni. È costituito da due porte RF simmetriche con isolamento molto elevato fino a 8,5 GHz.
- Frequenza operativa: da 10 MHz a 8,5 GHz
- Elevato isolamento: 40 dB a 8,5 GHz
- Bassa perdita di inserzione: 1 dB a 8,5 GHz
- Elevata linearità: 68 dBm IIP3
- Tempo di commutazione veloce: 600 ns
- Intervallo di temperatura operativa: da -40 a +105 °C
- Imballaggio: QFN a 12 conduttori da 2,0 × 2,0 mm
PE42529
Interruttore RF SPDT UltraCMOS© a bassa perdita di inserzione, 9 kHz-8,5 GHz
Il PE42529 è un interruttore RF SPDT potenziato con tecnologia HaRP™ progettato per l'uso in applicazioni di test/ATE e altre applicazioni RF ad alte prestazioni. È costituito da due porte RF simmetriche con isolamento molto elevato fino a 8,5 GHz.
- Elevata gestione della potenza a bassa frequenza:
- 10 dBm a 9 kHz
- 15 dBm a 100 MHz
- Elevato isolamento: 40 dB a 8,5 GHz
- Bassa perdita di inserzione: 1 dB a 8,5 GHz
- Elevata linearità: 68 dBm IIP3
- Tempo di commutazione rapido: 1,9 μs
- Intervallo di temperatura operativa: da -40 a +105 °C
- Imballaggio: QFN a 12 conduttori da 2,0 × 2,0 mm
PE42544
Switch RF UltraCMOS© SP4T ad alto isolamento, 10 MHz-8,5 GHz
Il PE42544 è uno switch RF SP4T potenziato con tecnologia HaRP™ progettato per l'uso in applicazioni di test/ATE e altre applicazioni RF ad alte prestazioni. È costituito da quattro porte RF simmetriche con isolamento molto elevato fino a 8,5 GHz.
- Frequenza operativa: da 10 MHz a 8,5 GHz
- Elevato isolamento: 40 dB a 6 GHz
- Bassa perdita di inserzione: 1,3 dB a 8,5 GHz
- Elevata linearità: 61 dBm IIP3
- Tempo di commutazione veloce: 350 ns
- Intervallo di temperatura operativa: da -40 a +105 °C
- Imballaggio: QFN a 20 conduttori da 3,0 × 3,0 mm
PE42448
Switch RF UltraCMOS+™ SP4T, 2,3 GHz-5 GHz
Il PE42448 è caratterizzato da una bassa perdita di inserzione, misurata a 0,5 dB a 2,6 GHz e a 0,6 dB a 3,8 GHz, e da un'elevata linearità, con un valore IIP3 di 88,5 dBm. È in grado di gestire potenze elevate, con una potenza RMS di 39,5 dBm e un rapporto picco-media (PAR) di 11 dB. Il dispositivo funziona a temperature fino a +115 °C ed è alloggiato in un contenitore LGA a 20 conduttori da 4 × 4 mm.
- Bassa perdita di inserzione:
- 0,5 dB a 2,6 GHz
- 0,6 dB a 3,8 GHz
- Alta linearità IIP3: 88,5 dBm
- Elevata gestione della potenza: 40 dBm CW, 52 dBm di picco
- Temperatura di esercizio: +115 °C
- Confezione: LGA a 20 conduttori 4 × 4 mm
PE42549
Switch RF UltraCMOS© SP4T a bassa perdita di inserzione, 9 kHz-8,5 GHz
Il PE42549 è uno switch RF SP4T potenziato con tecnologia HaRP™ progettato per l'uso in applicazioni di test/ATE e altre applicazioni RF ad alte prestazioni. È costituito da quattro porte RF simmetriche con isolamento molto elevato fino a 8,5 GHz.
- Elevata gestione della potenza a bassa frequenza:
- 5 dBm a 9 kHz
- 15 dBm a 100 MHz
- Elevato isolamento: 39 dB a 6 GHz
- Bassa perdita di inserzione: 1,6 dB a 8,5 GHz
- Elevata linearità: 61 dBm IIP3
- Tempo di commutazione rapido: 1,9 μs
- Intervallo di temperatura operativa: da -40 a +105 °C
- Imballaggio: QFN a 20 conduttori da 3,0 × 3,0 mm
