Il dispositivo MSC035SMA170S è un MOSFET SiC da 1700 V e 35 mΩ in un contenitore TO-268 (D3PAK).

L'ATSAMR34J18 è un microcontrollore a bassissimo consumo combinato con un'interfaccia di comunicazione ricetrasmittente UHF.

In questa Tech Chat parliamo della tensione di soglia di un MOSFET SiC e della sua importanza sulla perdita di commutazione e sull'immunità ai disturbi e ai picchi di tensione.

La scheda di estensione ATWINC1500-XPRO consente di valutare il modulo controller di rete Wi-Fi 802.11 b/g/n a basso costo e basso consumo ATWINC1500.

Che cos'è una valanga e perché si verifica? Come influisce sull'affidabilità di un dispositivo?

L'MMA042AA è un amplificatore distribuito GaAs MMIC pHEMT che opera tra 2 GHz e 26 GHz.

I MOSFET SiC di nuova generazione offrono prestazioni dinamiche e termiche superiori rispetto ai MOSFET e agli IGBT Si convenzionali.

L'MMA053AA di Microchip è un circuito integrato monolitico a microonde (MMIC) all'arseniuro di gallio (GaAs) che opera tra DC e 8 GHz.

I progettisti sono finalmente in grado di sfruttare i vantaggi della tecnologia SiC a livello di sistema per ridurre le dimensioni, la rumorosità e i guasti sul campo delle unità di potenza ausiliarie (APU) nei veicoli da trasporto.

Microchip Technology, in collaborazione con Clean Sky, membro del consorzio della Commissione Europea, ha sviluppato una famiglia di moduli di potenza basati su SiC per applicazioni aerospaziali, con l'obiettivo di rendere più efficienti e compatti i sistemi di conversione di potenza e di azionamento dei motori.