Ottimizzato per il funzionamento a banda larga fino a 2700 MHz, include l'abbinamento in ingresso per prestazioni di larghezza di banda estesa

Progetto di riferimento ordinabile per il transistor discreto GaN A3G26D055N da 55 W di picco

Il nuovo transistor di potenza MMRF5018HSR5 a banda larga RF da 125 W CW è ottimizzato per il funzionamento a banda larga fino a 2700 MHz e include l'adattamento in ingresso per prestazioni di larghezza di banda estesa.

Nel settore della difesa, la comunicazione non è solo necessaria, ma è un'ancora di salvezza. I transistor RF di NXP si dimostrano robusti e affidabili negli ambienti più difficili.

Il circuito A3G26D055N-100 ottimizza il dispositivo per la banda 100-2500MHz, con 12W CW e 11dB di guadagno utilizzando metà del dispositivo.

NXP alimenta il 5G Access Edge, che comprende le apparecchiature dell'infrastruttura critica tra il core 5G e l'utente finale.

I moduli Rx di NXP sono moduli integrati multi-chip progettati per applicazioni TD-LTE e 5G mMIMO.

I RapidRF Front End Designs sono soluzioni di facile utilizzo che consentono di accelerare la prototipazione di sistemi MIMO massivi, Open RAN, small cell esterne e teste radio remote a bassa potenza.

Mentre le reti 5G continuano a essere costruite in tutto il mondo, gli MNO sfruttano sempre più le soluzioni 32T32R per migliorare la copertura massive MIMO nelle aree urbane e suburbane meno dense.

Il presente documento passa in rassegna i diversi tipi di dispositivi a semiconduttore di potenza RF, le loro caratteristiche distintive e alcuni esempi.