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恩智浦

NXP MMRF5018HSR5
针对高达 2700 MHz 的宽带运行进行了优化,包括输入匹配,可扩展带宽性能
NXP A3G26D055N-100
A3G26D055N 55 W 峰值氮化镓分立晶体管的可订购参考设计
新型 MMRF5018HSR5 宽带射频 125 W CW 功率晶体管用于优化宽带工作频率,最高可达 2700 MHz,并包括用于扩展带宽性能的输入匹配。
在国防工业中,通信不仅是必要的,而且是生命线。恩智浦的射频晶体管在最恶劣的环境中也能保证坚固可靠。
A3G26D055N-100 电路优化了 100-2500MHz 频段的器件,利用一半器件实现了 12W CW 和 11dB 增益。
恩智浦为 5G 接入边缘提供动力,其中包括 5G 核心与终端用户之间的关键基础设施设备。
恩智浦的 Rx 模块是集成的多芯片模块,专为 TD-LTE 和 5G mMIMO 应用而设计。
RapidRF 参考电路显示了恩智浦功率放大器、前置驱动器、带 T/R 开关和环行器的 Rx LNA 的完整布局。
RapidRF 前端设计是易于使用的解决方案,有助于加快大规模 MIMO 系统、开放式 RAN、室外小型基站和低功率远程射频头的原型设计。
随着 5G 网络在全球范围内的不断建设,移动网络运营商正越来越多地利用 32T32R 解决方案来改善人口密度较低的城市和郊区的大规模多输入多输出(MIMO)覆盖。
本文回顾了不同的射频功率半导体器件类型、它们的区别特征和一些示例。