マイクロチップ - MSCSM120TAM11CT

三相SiC MOSFETパワーモジュール
SiCの在庫低ストレイインダクタンスパッケージのMicrochip 3フェーズレッグ1200V/251A SiCモジュール

SiCの在庫低ストレイインダクタンスパッケージのMicrochip 3フェーズレッグ1200V/251A SiCモジュール

MSCSM120TAM11CTPAG デバイスは、3 相レグ 1200 V/251 A フル SiC(炭化ケイ素)パワーモジュールです。
  • SiCパワーMOSFET
  • 低RDS(オン)
  • 高温性能
  • SiCショットキーダイオード
  • 逆回復ゼロ
  • 前倒し回収ゼロ
  • 温度に依存しないスイッチング動作
  • VFの正の温度係数
  • 非常に低い浮遊インダクタンス
  • 温度監視用内蔵サーミスタ
  • 窒化アルミニウム(AlN)基板による熱性能の向上
  • 高出力で高効率のコンバータとインバータ
  • 高周波動作で卓越した性能
  • ヒートシンクへの直接取り付け(絶縁パッケージ)
  • 低い接合部対ケース熱抵抗
  • はんだ付け可能な電源および信号用端子により、PCBへの実装が容易
  • 薄型
  • RoHS対応
  • 無停電電源装置
  • スイッチ・モード電源
  • EVモーターとトラクションドライブ
  • 溶接コンバーター

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専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。