狼牌超速机 - C3M0075120J

采用 TO-263-7 封装的第三代 1200 V、75 mΩ SiC MOSFET

储能和电力转换

采用 TO-263-7 封装的第三代 1200 V、75 mΩ SiC MOSFET

采用 TO-263-7 封装的第三代 1200 V、75 mΩ SiC MOSFET

Wolfspeed C3M0075120J 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 可降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃。C3M0075120J MOSFET 的导通延迟时间（td_(on)）为 17ns，漏源电压为 1200_VDS，功率耗散为 113.6W。

C3M™ SiC MOSFET 技术
低阻抗封装，带驱动源引脚
漏极与源极之间的爬电距离为 7 毫米
高阻断电压，低导通电阻
高速开关，低电容
快速本征二极管，反向恢复率低 (Qrr)
无卤素，符合 RoHS 标准

降低开关损耗，最大限度减少栅极振铃
更高的系统效率
减少冷却需求
提高功率密度
提高系统开关频率

可再生能源
电动汽车电池充电器
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源

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关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑，确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC)，我们将帮助您确定合适的开关器件，以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。