Wolfspeed 正式发布其第四代技术平台——该平台专为高功率应用设计，旨在实现突破性的性能、耐用性和效率。
第四代产品旨在简化开关行为并降低设计复杂度，支持涵盖功率模块、分立元件及裸芯片在内的广泛产品线，提供750V、1200V和2300V三种电压等级。
为何选择工业级1200V第四代产品？ 来自Wolfspeed
Wolfspeed推出全新1200V碳化硅（SiC）MOSFET系列，专为太阳能及储能系统、电动汽车充电、不间断电源（UPS）、电机驱动、开关电源、高压直流/直流转换器等高功率应用优化设计。 基于新一代技术，Wolfspeed的1200V SiC MOSFET提供多种导通电阻选项，使设计人员能够为其应用选择最合适的器件。
改进的切换性能
降低损耗，提高效率，提升开关频率，缩小无源元件尺寸
鲁棒性与可靠性
基于Wolfspeed数十年来在碳化硅领域的领先地位，以及长期现场可靠性
一个投资组合——覆盖所有市场
基于200毫米平台，支持650伏至3300伏+的宽电压范围
兼容性
15-18VGS开启电压及0V…-5V关断能力
热性能
更凉爽的运行状态，降低冷却需求，延长使用寿命
更高功率密度
更轻便、更紧凑的系统
工业级1200V第四代 GEN 3 设备的替代方案
1200V MOSFET采用超低导通电阻(RDS(ON))设计，并提升了CGS/CGD比值，可在安全工作区内实现更优的硬开关性能与更低的导通损耗。其更线性的关断电流(COSS)特性同样适用于软开关应用。相较于硅基解决方案，碳化硅技术带来的效率提升可有效缩减系统体积、减轻重量、简化设计复杂度，并降低多数大功率应用的成本。
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部件编号 | RDS(开启)(25°C) | D TO-247- 3 | K TO-247-4 | K1 TO-247-4 (LP) | J TO-263-7 | J1 TO-263-7XL | J2 TO-263-7XL | U2 TSC |
C3M0016120x | 16mΩ | 不适用 | C4MS018120K* | C4MS018120K1* | C4MS018120J2* | C4MS018120U2* | ||
C3M0021120x | 21mΩ | 不适用 | C4MS025120K | C4MS025120K1 | C4MS025120J2 | C4MS025120U2 | ||
C3M0032120x | 32mΩ | 不适用 | C4MS036120K | C4MS036120K1 | C4MS036120J2 | C4MS036120U2 | ||
C3M0040120x | 40mΩ | 不适用 | C4MS047120K | C4MS047120K1 | C4MS047120J2 | C4MS047120U2 | ||
C3M0075120x | 75mΩ | 不适用 | C4MS065120K | C4MS065120K1 | C4MS065120J2 | C4MS065120U2 | ||
C4MS080120K* | C4MS080120K1* | C4MS080120J2* | C4MS080120U2* | |||||
*这些设备将于2026年上半年发布
注：具体应用拓扑结构和任务配置文件可能导致推荐方案存在差异。
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第四代碳化硅技术：
高性能与高功率应用中的耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 公司专为大功率电子应用而设计的第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。在碳化硅创新传统的基础上，Wolfspeed 定期推出重新定义行业基准的尖端技术解决方案。在第四代产品发布之前，第三代 SiC MOSFET 平衡了广泛应用情况下的重要设计元素，为硬开关应用中的全面性能设定了基准。
