带肖特基二极管的新型 BM3 半桥模块

适用于更高频率的工业应用
62 毫米 BM3 碳化硅半桥功率模块

62 毫米 BM3 碳化硅半桥功率模块

Wolfspeed 的 BM3 电源模块平台具有碳化硅 (SiC) 的系统优势,同时保持了 62 毫米模块封装的坚固性和行业标准。Wolfspeed 62 毫米 BM3 封装的内部设计实现了高速碳化硅开关优势,并通过低电感布局提高了系统效率。

BM3 平台非常适合感应加热、铁路和牵引、电机驱动以及电动汽车充电基础设施等高频工业应用。

Wolfspeed标志
  • 业界领先、可靠的碳化硅 MOSFET 技术,采用坚固耐用的 62 毫米外形尺寸
  • 强大的散热性能 + 针对工业和恶劣环境应用进行优化的材料选择
  • 低电感设计(10-15 nH),可实现快速开关和低功率损耗
  • 符合 HV-H3TRB 标准的 MOSFET 芯片和选定模块
  • 广泛的额定电流和电压组合可满足各种工业应用要求
  • 从 62 毫米 IGBT 封装过渡所需的开发时间最短,上市速度快
    降低冷却要求和整体系统成本
  • 内部布局经过优化,功率损耗低,过冲最小,电压利用率最高
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 能源生产 / 智能电网 / 智能能源
  • 铁路
  • 电动汽车快速充电
  • 不间断电源和 SMPS
部件编号
阻断电压 (V)
当前评级
Rds(on)
,25°C 时
最高结温
模块尺寸
WAS175M12BM3
1200 V
175 A
8 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 毫米
CAS175M12BM3
1200 V
175 A
8 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 毫米
WAB300M12BM3
1200 V
300 A
4 mΩ
175 °C
105 x 62 x 31 毫米
WAS350M12BM3
1200 V
350 A
4 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 毫米
CAS350M12BM3
1200 V
350 A
4 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 毫米
WAB400M12BM3
1200 V
400 A
3.25 mΩ
175 °C
105 x 62 x 31 毫米
CAB530M12BM3
1200 V
530 A
2.6 mΩ
175 °C
106 x 62 x 30 毫米
WAS530M12BM3
1200 V
530 A
2.67 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 毫米
CAS530M12BM3
1200 V
530 A
2.67 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 毫米

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。