来自 Innoscience 的 650 V GaN 增强型功率晶体管 -睿查森电子

采用 8 x 8 DFN 封装的特色 650 V GaN E-Mode 功率晶体管

以下器件采用 8 x 8 双扁平无引线 (DFN) 封装，确保高效散热和紧凑设计

Innoscience 的 650 V GaN 增强型功率晶体管

Innoscience 的 650 V 硅基氮化镓增强型功率晶体管专为高压电源应用而设计。下面介绍的器件采用 8 x 8 双扁平无引线 (DFN) 封装，确保了高效散热和紧凑的设计，是各种应用的理想之选。

创新科技设计、开发和制造高性能、高可靠性的氮化镓器件，适用于各种应用和电压（LV:30V-150V 和 HV:650V），凭借其大批量生产能力、8 英寸晶圆尺寸和先进的高产能制造工具，确保了卓越的性能、可靠性、支持、供应安全性、大容量和具有竞争力的价格。

益处

应用

部件编号	_最大VDS	RDS_(on),max	RDS_{（开），典型值}	当前
INN650D140A	650 V	140 mΩ	106 mΩ	17 A
INN650D190A	650 V	190 mΩ	138 mΩ	11.5 A
INN650D240A	650 V	240 mΩ	165 mΩ	10 A
INN650D350A	650 V	350 mΩ	270 mΩ	6 A

ISG3201 具有 34 A 的连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。

INN100W032A 是一款 100 V 增强型氮化镓功率晶体管，适用于 D 类音频、高频直流-直流转换器、电机驱动器等。

让我们有机会对您的项目进行评估，帮助您更快地将愿景推向市场。

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑，确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC)，我们将帮助您确定合适的开关器件，以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。