带驱动器的紧凑型高性能固态氮化镓集成半桥解决方案 -睿查森电子

Innoscience - ISG3201

100 V 半桥固态氮化镓集成栅极驱动器

带驱动器的紧凑型高性能固态氮化镓集成半桥解决方案

创新科技公司的 ISG3201是一个完整的半桥电路，包括两个 100 V、3.2 mΩ InnoGaN HEMT 和所需的驱动电路，采用 LGA 封装，尺寸仅为 5×6.5×1.1 mm。

缆线ISG3201具有 34 A 连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。由于集成度高，栅极回路和功率回路寄生保持在 1 nH 以下。因此，开关节点上的电压尖峰降到了最低。半桥 GaN HEMT 的导通速度可通过单个电阻进行调节。

INN100W032A 是一款 100 V 增强型氮化镓功率晶体管，适用于 D 类音频、高频直流-直流转换器、电机驱动器等。

INN650D080BS 是一款 650 V 硅基氮化镓增强型功率晶体管，采用 8 mm × 8 mm 双扁平无引线 (DFN) 封装。

让我们有机会对您的项目进行评估，帮助您更快地将愿景推向市场。

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑，确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC)，我们将帮助您确定合适的开关器件，以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。