使用基于 SiC MOSFET 的福禄 E 电源模块增强电动汽车充电器功能
新型 flow DUAL SiC E1 和 fastPACK SiC E1/E2 的开发目的是使电动汽车车载充电器的设计更快、更小、更高效。这些模块基于最新一代 650V 和 1200V SiC MOSFET 芯片，导通电阻低至 5mOhm。
除了优化性能，Vincotech 还注重可靠性。凭借新的先进芯片连接技术，基于 SiC MOSFET 的新型 E 流模块可将功率循环寿命延长 2 倍。他们的经验和基于 SiC 的电源模块与您的设计相匹配，可实现最佳结果！
目标应用包括不间断电源和发电机组、储能系统、工业充电系统、电动汽车板外充电器和太阳能逆变器。
- 益处
- 因素 2 提高了功率循环能力，延长了使用寿命
- 多源碳化硅元件，选择更自由，供应链风险更低
- 可选集成电容器，提高电磁兼容性能
- 压配销钉和预涂 TIM 有助于降低生产成本
Vincotech 特色产品
部件编号 | 击穿电压 (V) | 额定芯片电流 (A) | Rds(on) (mΩ) | 拓扑结构 | 模块外壳 | 占地面积（毫米） | 高度（毫米） | 10-EY122PA005ME-LU39F08T | 1200 | 240 | 5 | 半桥 | 流量 E2 | 62.8×57.7 | 12 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
10-EY122PA008ME-LU38F08T | 1200 | 240 | 8 | 半桥 | 流量 E2 | 62.8×57.7 | 12 |
10-EY124PA016ME-LP49F18T | 1200 | 80 | 16 | H 桥 | 流量 E2 | 62.8×57.7 | 12 |
10-EZ074PA021UF01-LQ18F98T* | 650 | 50 | 21 | H 桥 | 流量 E1 | 62.8×34.8 | 12 |
10-EZ124PA032ME-LQ17F18T* | 1200 | 40 | 32 | H 桥 | 流量 E1 | 62.8×34.8 | 12 |
*在资格方面
