氮化镓系统 - GS-065-030-2-L

使设计人员能够在高达 3 千瓦的应用中充分利用低成本 GaN
新产品:氮化镓系统 650V GS-065-030-2-L

新产品:氮化镓系统 650V GS-065-030-2-L

GS-065-030-2-L是市场上首款GaN产品,使设计人员能够在高达3000W功率的应用中获得低成本GaN的优势。这款新产品是 GaN Systems 低成本 GaN 晶体管系列的又一力作,它使设计人员能够在效率、热管理和功率密度方面更上一层楼,同时提高设计灵活性和成本效益,以满足消费、工业和数据中心客户的新需求。

  • 650 V 增强型功率晶体管
  • 底部冷却,小型 8 x 8 毫米 PDFN 封装
  • RDS(on) = 50 mOhm
  • IDS(max) = 30 A
  • 简单的栅极驱动要求(0 V 至 6 V)
  • 瞬态容差栅极驱动(20/+10 V)
  • 开关频率极高(> 10 MHz)
  • 快速可控的下降和上升时间
  • 用于优化栅极驱动的源检测 (SS) 引脚
  • 反向传导能力
  • 零反向恢复损失
  • 符合 RoHS 3 (6+4) 标准
  • 无桥图腾柱 PFC
  • 消费、工业和数据中心高密度电源
  • 大功率适配器
  • LED 照明驱动器
  • 家电和工业电机驱动器
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 激光驱动器
  • 无线电力传输

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我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。