狼人速度 - C6D10065Q-TR

第 6 代 650 V、10 A 碳化硅肖特基二极管
新产品:采用 QFN 封装的第 6 代 650V、10A SiC 二极管

新产品:采用 QFN 封装的第 6 代 650V、10A SiC 二极管

凭借碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望达到比硅基解决方案更高的效率标准,同时还能实现更高的频率和功率密度。碳化硅二极管可轻松并联,以满足各种应用需求,而无需担心热失控。结合碳化硅产品冷却要求的降低和热性能的提高,碳化硅二极管能够在各种不同的应用中提供更低的整体系统成本。
  • 低正向压降 (VF),正温度系数
  • 零反向恢复电流/正向恢复电压
  • 与温度无关的开关行为
  • 低电感扁平封装
  • 企业电源、服务器和电信电源
  • 开关模式电源
  • 工业电源
  • 升压功率因数校正
  • 引导二极管
  • LLC 夹紧

相关 内容

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。