SiC 现货：1200 V、32 mΩ SiC MOSFET，采用 TO-247 封装

Wolfspeed 推出业界最可靠、性能最高的 1200V 系列功率 MOSFET，进一步扩大了其在 SiC 技术领域的领先地位。该产品基于第三代平面 MOSFET 技术，包括一个坚固耐用的本体二极管，无需额外的外部二极管即可实现第三象限工作。新系列产品采用分立封装，在 1200V 电压下具有最低的 Rds(on)，在温度变化时 Rds(on) 保持不变。Wolfspeed 设计的第三代 MOSFET 提高了 CGS/CGD 比率，从而实现了更好的硬开关性能。软开关应用也可受益于线性度更高的 COSS 行为。由于开关性能的提高，设计人员可以从基于硅的三电平拓扑结构转向更简单的两电平拓扑结构，从而减少元件数量。