Wolfspeed - C3M0015065K

采用 4 引线 TO-247 封装的 650V、15mΩ 碳化硅 MOSFET
SiC 现货:Wolfspeed 650V、15mΩ 碳化硅 MOSFET

SiC 现货:Wolfspeed 650V、15mΩ 碳化硅 MOSFET

业界最低的导通电阻和开关损耗,可实现最高效率和功率密度

Wolfspeed 推出第三代 650V MOSFET,进一步扩大了其 SiC 技术的领先优势,使更多电源系统实现了更小、更轻和更高效的功率转换。650V MOSFET 产品系列是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。

  • 阻断电压: 650 V
  • RDS(ON) (25° C 时: 15 mΩ
  • 世代:第 3 代
  • 当前评级:91 A
  • 栅极电荷总量:188 nC
  • 输出电容:289 pF
  • 总耗散功率 (PTOT): 416 W
  • 最高结温175 °C
  • 包装TO-247-4

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关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。