数字可配置碳化硅栅极驱动器

为您节省宝贵的开发时间
释放碳化硅的全部性能 - 利用数字控制快速优化

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Microchip 的 SiC 数字栅极驱动器采用获得专利的 Augmented Switching™ 技术,可解决使用传统模拟驱动器时出现的次生效应:噪音/EMI、短路、过压和过热。

使用 Microchip 的 SiC 数字栅极驱动器,用户可以降低开关损耗,提高系统密度。它们完全可通过软件进行配置,可防止错误故障,并可减轻 SiC 和 IGBT 功率模块中的振铃、电磁干扰 (EMI) 以及过冲和欠冲。

与睿查森电子的全球 FAE 团队合作,除 Microchip 外,还支持与许多业界领先公司的 SiC 模块进行配置。

微芯片标志

系统成本最低

  • 更高的效率
  • 缩短设计和评估时间
  • 不中断生产供应
  • 最快上市

  • 缩短设计和评估时间
  • 更早获得更多收入
  • 加快创新进程的能力
  • 最低风险

  • 提高电力系统的可靠性
  • 缩短设计和评估时间
  • 运行温度更低
  • SiC 和 IGBT 栅极驱动器模块

    SiC 栅极驱动器内核和模块适配器板

    • 软件可配置 ±Vgs 栅极电压
    • 获得专利的增强开关技术
    • 强大的短路保护
    • 抗噪能力强

    SiC 即插即用栅极驱动器

    • 与 62 mm SiC MOSFET 模块兼容
    • 软件可配置,以满足您的应用要求
    • 温度和隔离高压监测
    • 汽车级组件

    IGBT 栅极驱动器

    • 多级关断时间和电压等级
    • 去饱和时间和电压水平
    • 栅极驱动电压 +15V/-10V
    • 峰值栅极电流 ±30A
    • 高达 3.3 kV 的 IGBT
    • 单通道,7 瓦输出功率

    开发套件

    • 与 1200V 和 1700V SiC 电源模块兼容
    • 包括智能配置工具 (ICT)
    • 可提供带或不带电源模块的套件

    能源与动力设计支持

    让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

    关于我们的专家团队

    我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。