现已上市: 新型 2300 V Wolfspeed WolfPACK™ 碳化硅功率模块

Wolfspeed WolfPACK™ 模块是那些希望以紧凑的工业标准基底面提高效率和功率密度的设计人员的最佳选择。
Wolfspeed WolfPACK™ 碳化硅功率模块

Wolfspeed WolfPACK™ 碳化硅功率模块

Wolfspeed 推出了无底板模块系列,以满足中等功率应用的要求,为整个电力电子产品提供解决方案。Wolfspeed WolfPACK™ 模块是希望以紧凑的工业标准基底面提高效率和功率密度的设计人员的最佳选择。

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新产品!2300 V WolfPACK™ 电源模块

专为 1500 V 总线应用而设计,实现了从基于 IGBT 的三电平架构到简化的两电平电源转换系统的转变。

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1200 V WolfPACK™ 功率模块

旨在为快速设计实施、可扩展性、长期设计支持和降低装配开销提供出色的解决方案。

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评估工具

Wolfspeed 提供各种评估套件,帮助您更好地了解我们的碳化硅分立和模块封装的性能。

WolfPACK™ 模块 来自 Wolfspeed

主要优势

  • 最大功率密度
  • 易于布局和组装
  • 系统可扩展性和可靠性
  • 更简单的冷却系统和更小的系统
  • 主要功能

  • 采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术
  • 市场上额定电流最高的拓扑结构
  • 内置 NTC
  • 压入式连接
  • Wolfspeed WolfPACK™ 模块目前有半桥和六桥两种配置。

    新产品!2300 V WolfPACK™ 模块 来自 Wolfspeed

    Wolfspeed 的 2300 V WolfPACK™ 碳化硅电源模块专为 1500 V 总线应用而设计,实现了从基于 IGBT 的三电平架构到简化的两电平电源转换系统的转变。该解决方案将系统设计从传统的总线条转移到成本更低的 PCB 上,从而大大缩短了开发时间,降低了成本。

    部件编号
    封装 (V)
    配置
    阻断电压
    当前评级
    RDS(on) @ 25°C
    一代人
    最高结温
    模块尺寸
    推荐新设计?
    CAB5R0A23GM4T
    全球机制
    半桥(AlN 衬底)
    2300 V
    200 A
    5 mΩ
    第 4 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米
    CAB5R0A23GM4
    全球机制
    半桥(AlN 衬底)
    2300 V
    200 A
    5 mΩ
    第 4 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米
    CAB6R0A23GM4
    全球机制
    半桥(AlN 衬底)
    2300 V
    200 A
    6 mΩ
    第 4 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米
    CAB6R0A23GM4T
    全球机制
    半桥(AlN 衬底)
    2300 V
    200 A
    6 mΩ
    第 4 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米
    CAB7R5A23GM4T
    全球机制
    半桥(AlN 衬底)
    2300 V
    170 A
    7.5 mΩ
    第 4 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米
    CAB7R5A23GM4
    全球机制
    半桥(AlN 衬底)
    2300 V
    170 A
    7.5 mΩ
    第 4 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米

    1200 V WolfPACK™ 模块 来自 Wolfspeed

    部件编号
    封装 (V)
    配置
    阻断电压
    当前评级
    RDS(on) @ 25°C
    一代人
    最高结温
    模块尺寸
    推荐新设计?
    CAB011A12GM3T
    全球机制
    半桥
    1200V
    141A
    11mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 56.7 毫米
    CAB006M12GM3
    GM3
    半桥
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB006A12GM3
    GM3
    半桥(AIN 基底面)
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB006M12GM3T
    GM3
    半桥
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB006A12GM3T
    GM3
    半桥(AlN 衬底)
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB008A12GM3
    GM3
    半桥(AIN 基底面)
    1200 V
    194 A
    8 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB008M12GM3
    GM3
    半桥
    1200 V
    146 A
    8 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB008M12GM3T
    GM3
    半桥
    1200 V
    160 A
    8 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB008A12GM3T
    GM3
    半桥
    1200 V
    181 A
    8 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 56.7 毫米
    CAB011M12FM3
    FM3
    半桥
    1200 V
    105 A
    11 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 33.8 毫米
    CAB011M12FM3T
    FM3
    半桥
    1200 V
    117 A
    11 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CAB016M12FM3
    FM3
    半桥
    1200 V
    78 A
    16 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 33.8 毫米
    CAB016M12FM3T
    FM3
    半桥
    1200 V
    84 A
    16 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CCB021M12FM3
    FM3
    六件套(三相)
    1200 V
    51 A
    21 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 33.8 毫米
    CBB021M12FM3
    FM3
    全桥
    1200 V
    50 A
    21 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CCB021M12FM3T
    FM3
    六件套(三相)
    1200 V
    30 A
    21 mΩ
    第 3 代
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CBB021M12FM3T
    FM3
    全桥
    1200 V
    48 A
    21 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CCB032M12FM3
    FM3
    六件套(三相)
    1200 V
    40 A
    32 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 x 33.8 毫米
    CBB032M12FM3
    FM3
    全桥
    1200 V
    39 A
    32 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CCB032M12FM3T
    FM3
    六件套(三相)
    1200 V
    30 A
    32 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米
    CBB032M12FM3T
    FM3
    全桥
    1200 V
    37 A
    32 mΩ
    第 3 代 MOS
    150 °C
    62.8 毫米 x 33.8 毫米

    评估工具 来自 Wolfspeed

    动态特性分析工具,可用于评估和优化 Wolfspeed 的 WolfPACK SiC 半桥电源模块 CAB011M12FM3 和 CAB016M12FM3 的开关性能。

    EVAL-ADuM4146WHB1Z 是一款半桥栅极驱动器电路板,可在驱动先进的 Wolfspeed 第三代 C3M™ SiC MOSFET 和功率模块时对 ADuM4146 的性能进行简单评估。它可与 Wolfspeed 的钳位电感负载测试板或半桥评估板和差分收发器板结合使用。

    动态特性分析工具,可用于评估和优化 Wolfspeed 的 WolfPACK SiC 半桥电源模块 CAB011M12FM3 和 CAB016M12FM3 的开关性能。

    动态特性分析工具,可用于评估和优化 Wolfspeed 的 WolfPACK SiC 六组(三相)电源模块 - CCB021M12FM3 和 CCB032M12FM3 - 的开关性能。
    动态特性分析工具,可用于评估和优化 Wolfspeed 的 WolfPACK™ SiC 半桥功率模块在 GM3 模块基底面上的开关性能,包括所有在部件号后三位数字中带有 "GM "和在第二位数字中带有 "A "的部件号(例如:CAB006M12GM3)。

    其他 资源

    2024 年 9 月 23 日
    工业电机,包括工业低压电机驱动器、伺服驱动器、热泵和空调,每年的耗电量占全球总耗电量的 45% 以上。
    Wolfspeed睿查森电子 的 WolfPACK™ 模块系列为当今的设计人员提供了涵盖广泛应用的电源产品组合。

    能源与动力设计支持

    让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

    关于我们的专家团队

    我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。