PECTA 的目标之一是分析和汇总有关基于宽带隙 (WBG) 的电力电子器件的信息,并加深政府和政策制定者的理解。一个子目标是为将宽带隙设备集成到当前应用中制定路线图。为了提供所有市场的概况,在 ECPE WBG 路线图的基础上,考虑到碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件,于 2020 年制定了第一个应用就绪图 (ARM)。
本报告对 ARM 进行了更新。它描述了 WBG 市场和 WBG 技术的现状,解释了路线图主题的变化,并增加了现在也与 WBG 功率半导体相关的其他细分市场。重点仍然是碳化硅和氮化镓器件。为了更好地评估所介绍的 ARM 的预测有效性,我们介绍并讨论了最具影响力的因素。
相关 内容

能源与电力技术文章
碳化硅还是氮化镓:为您的应用选择最佳宽带隙技术
无论是碳化硅(SiC)还是氮化镓(GaN),宽带隙材料都以无与伦比的效率和性能为未来提供动力,推动电动汽车、可再生能源和新一代电子产品取得突破性进展。
2025 年 9 月 18 日
