使用顶部散热 (TSC) 碳化硅功率器件进行设计

使用顶部散热 (TSC) 碳化硅功率器件进行设计

2025 年 9 月 26 日

碳化硅

在越来越多的电力电子应用中,高压系统的设计人员正在转向碳化硅,因为它具有固有的温度和开关性能特性。工程师往往面临着多方面的系统设计要求,包括需要多源封装,能够在有限的散热设计可能性下支持严格的功率密度约束。

Wolfspeed 现正通过向汽车和工业市场推出著名的顶部冷却封装,扩大系统设计选择范围。作为其他供应商生产的 MOSFET 的直接替代品,U2 封装通过改进封装爬电距离,支持 650 V - 1200 V 的设计,为既有设计提供了采购灵活性。

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