目前有两大变革影响着汽车运输和半导体技术的未来。我们正在采用一种全新的、令人兴奋的方法，以清洁的电力推动我们的汽车，同时重新设计支撑电动汽车（EV）子系统的半导体材料，以最大限度地提高能效，进而提高电动汽车的行驶里程。
政府监管机构继续强制要求汽车原始设备制造商减少其车队的总体二氧化碳排放量，并对违规行为进行严厉处罚，电动汽车充电基础设施也开始在我们的道路和停车区旁普及。然而，尽管取得了所有这些进步，消费者对电动汽车续航里程限制的担忧仍然挥之不去，阻碍了电动汽车的主流普及。
更复杂的是，电动汽车电池尺寸越大，就越能延长电动汽车的续航里程，消除消费者对续航里程的焦虑，但同时也有可能提高电动汽车的价格--电池占最终汽车成本的 25% 以上。幸运的是，与此同时发生的半导体革命产生了新型宽带隙器件，如碳化硅（SiC）MOSFET 电源开关，有助于缩小消费者对电动汽车续航里程的期望与原始设备制造商以具有竞争力的成本结构满足消费者期望的能力之间的差距。
据 SiC 功率器件领导者之一 Wolfspeed 公司的功率平台经理 Anuj Narain 说："与现有的硅基技术相比，SiC MOSFET 本身的优点被普遍认为可使标准电动汽车驾驶周期的续航里程增加 5%到 10%。正因为如此，SiC MOSFET 是电动汽车驱动系统中下一代牵引逆变器的重要组成部分。如果能与辅助元件配合使用，其功率效率的提高将代表着在建立消费者对电动汽车续航里程的信心方面向前迈出了一大步，并有助于加快电动汽车的普及。
