氮化镓（GaN）
氮化镓是一种宽带隙半导体，正迅速取代硅成为功率晶体管的首选材料。Gan Systems 的氮化镓 E-HEMT 材料性能优越，使用简便，设计人员可据此设定新的效率、功率密度、尺寸和重量标准。
创新科学
INN100W14 采用最优质的材料和最先进的制造工艺制造而成，是一款高效、可靠的设备。
- 硅基氮化镓 E 模式 HEMT 技术
- 双通道，共源
- 超高开关频率
- 快速可控的下降和上升时间
- 超低电阻
创新科学
650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管，采用双扁平无引线封装 (DFN)，尺寸为 8 mm × 8 mm。
- 增强型晶体管-正常关闭的电源开关
- 超高开关频率
- 无逆向回收费用
- 低栅极电荷，低输出电荷
氮化镓（GaN） 资源
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