碳化硅

Microchip 提供全系列的模块适配器板 (MAB) 和栅极驱动器内核，可生产功能齐全、即插即用的栅极驱动器板。Microchip 的产品包括适用于各种碳化硅 (SiC) 电源模块的适配器板。

这款 SiC ISOTOP® N 沟道功率 MOSFET 具有出色的雪崩坚固性、低电容和栅极电荷以及高达 175⁰ C 的稳定工作温度。

• 低电容和低栅极电荷
• 栅极内阻 (ESR) 低，开关速度快
• 在高结温下稳定运行，TJ（最大）= +175C

这些第 6 代 650 V SiC 肖特基二极管实现了业界领先的效率和功率密度，适用于要求最苛刻的功率转换应用。

• 低 VF = 1.27 V（25°C）和 1.37 V（175°C）
• 一流的 DVF/DT
• 零反向恢复
• 高击穿电压

这款 1200 V / 27 mΩ 流量 2xBOOST E2 SiC 模块具有高开关频率和低电感封装。

• 电压： 1200 伏
• 电流： 56 A
• 双增压配置
• 流量E2 12 毫米封装

这些高性能、耐用的 1700 V SiC MOSFET 有助于最大限度地提高系统效率，并最大限度地减小系统重量和尺寸。

• 低电容和低栅极电荷
• 切换速度快
• 稳定运行，TJ（最大）= +175 °C
• 快速可靠的体二极管

该系列基于碳化硅的电源模块适用于航空航天应用，可实现更高效、更紧凑的电源转换和发动机驱动系统。

• 1200V SiC MOSFET 和 1600V 二极管
• 适用于苛刻的航空应用
• 扁平、低电感
• 缩短开发时间

WolfPACK™ SiC 功率模块结构紧凑、无底板，具有同类产品中最高的功率密度和无与伦比的效率。

• 最大功率密度
• 易于布局和组装
• 系统可扩展性和可靠性
• 更简单的冷却系统