射频领域的下一个前沿:相控阵、SiC上氮化镓(GaN-on-SiC)以及SWaP-C的竞争

射频领域的下一个前沿:相控阵、SiC上氮化镓(GaN-on-SiC)以及SWaP-C的竞争

活动详情:

2026年11月4日
即将举行的活动/网络研讨会
主办方:微芯片

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提出者:

关于射频领域的下一个前沿:相控阵、GaN-on-SiC 以及 SWaP-C 的竞争

抬头看看:数千颗卫星正从近地轨道向地球传输宽带信号。环顾四周:曾经在桅杆上旋转的雷达,如今无需移动天线即可通过电子方式控制波束方向;5G中继器则将毫米波覆盖范围推向了前所未有的高度。 这些突破的背后,是射频信号链中一场同样悄无声息的革命,以及在更小的体积、更轻的重量、更低的功耗和更低的成本下实现更高性能的持续压力。在这场节奏紧凑的会议中,我们将揭开当今要求最严苛的射频系统是如何构建的。 您将了解波束成形的真实工作原理,以及为何如今仅凭少数几颗低成本二极管,就能控制曾经需要昂贵有源阵列才能实现的波束。您将看到,为何氮化镓(GaN)基硅碳化物(SiC)技术已主导高功率发射机领域,而砷化镓(GaAs)仍统治着低噪声接收机的静谧世界;还将了解工程师们如何在日益拥挤的频谱中保持信号的纯净。 从雷达前端和千瓦级航空电子发射机,到必须经受住太空辐射考验的组件,我们将全程追踪信号的传输路径,最后介绍那些将整个滤波器组集成到单个器件上、并将振荡器相位噪声降至新低的技术创新。欢迎在现场问答环节提出您最棘手的问题。

主要收获

  • 波束成形的实际工作原理,以及哪种架构适合您的系统
  • 为何几个低成本二极管就能控制光束:超材料阵列的兴起
  • GaN-on-SiC 在哪些方面更具优势?GaAs 在哪些方面更具优势?这对您的设计为何重要?
  • 在频谱日益拥挤的情况下,如何保持信号的纯净度
  • 从旋转式雷达天线向有源电子扫描阵列(AESA)的转变对射频工程师意味着什么
  • 如何利用GaN-on-SiC晶体管制造千瓦级航空电子发射机
  • 如何为航天应用选择元器件:从商用现成产品(COTS)到抗辐射元器件
  • 微型滤波器组和低相位噪声振荡器如何使信号链小型化

主持人

Baljit Chandhoke,Microchip公司射频和微波产品产品 经理

巴尔吉特·钱德霍克(Baljit Chandhoke)正致力于推动5G、卫星通信以及航空航天与国防领域的射频创新。 他对下一代连接技术充满热情,领导团队开发高性能射频解决方案,与全球客户通力合作,制定竞争战略,推动设计中标,并影响市场推广策略。随着人工智能驱动的射频优化、波束成形和软件定义架构的快速演进,带来了无限机遇。巴尔吉特坚信,射频半导体解决方案对于关键应用至关重要,这既是一种荣幸,也是推动技术边界、探索无限可能的动力。

他曾在多家行业权威刊物上发表过多篇文章,并在多个会议、行业联盟、YouTube 视频和网络研讨会上就射频技术及发展趋势发表过演讲。 在加入Microchip之前,Baljit曾在GlobalFoundries、瑞萨电子(IDT)、安森美半导体和赛普拉斯半导体担任领导职务。他拥有亚利桑那州立大学的工商管理硕士学位、科罗拉多大学博尔德分校的电信硕士学位,以及印度孟买大学的电子与电信工程学士学位。